三极管和二极管的作用： 一、三极管： 模拟电路中的三极管工作在线性放大区,是一个放大元件; 数字电路中的三极管工作在饱和或截止状态,起开关作用。 三极管有基极b、集电极c、发射级e三极，在数字电路中三极管一般都做“开关”用，做开关时“基极b”的电压如高于“发射级e”0.7V就导通，我们叫“Vbe>0.7V”导通。反之“截止”，电流无法再通过，这就是“开”和“关”即产生“0”和“1”。 “饱和”和“放大”作用是针对模拟电路的，在电脑数字电路中没有。 二、二极管： 二极管具有单向导电性，即正向导通，反向截止。 在二极管两端外加正向电压，二极管导通，正向压降0.7V,相当一个开关闭合； 在二极管两端外加反向电压，二极管截止，其电流为0V，相当一个开关断开； 利用这种特性在数字电路中可以产生高低电平，一般用“1”代表高电平,“

　　1、二极管导通电压是0.7伏（硅管），0.3伏（锗管）；发光二极管的导通电压是1.8V。

　　2、三极管工作条件

　　NPN：放大，集电结反偏，发射结正偏； 截止，集电结反偏，发射结反偏； 饱和，集电结正偏，发射结正偏；

　　PNP：放大，集电结正偏，发射结反偏； 截止，集电结反偏，发射结反偏； 饱和，集电结正偏，发射结正偏；

　　3、PMOS和NMOS导通条件

　　PMOS增强型管：uG-uS<0 , 且uG-uS>uGS(th)， uGSth是开启电压；

　　NMOS增强型管：uG-uS>0，且uG-uS>uGS(th)，uGSth是开启电压；

　　PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。

　　硅二极管的工作电压在 0.65 ~ 0.7 之间，一般以 0.7 V 计算，锗二极管约为 0.3 V ，通常使用的是硅二极管，三极管也是如此，锗管穿透电流大，很少用。没有指明用锗管的都是指硅管。

　　这个范围称为死区，相应的电压叫死区电压。硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压约为0.1~0.2V。

　　二极管包括很多种类型，工作电压也各不相同。

　　硅材料的普通二极管、开关二极管工作电压（正向导通电压）一般为0.6V~0.7V左右； 锗材料的二极管工作电压（正向导通电压）一般为0.2V~0.3V左右；

　　硅材料的整流二极管，例如最常用的1N4000系列、1N5400系列，其工作电压（即额定正向连续电流下的正向导通电压）一般为1.0V~1.1V左右；

　　锗材料的齐纳稳压二极管由于是工作在反向击穿状态下，其工作电压要比一般二极管的正向导通电压高很多，从1.8V直到上百V都有；

　　肖特基二极管的工作电压（正向导通电压）可以作到很低，一些小电流的型号甚至可以低至0.24V; TVS（瞬变电压抑制二极管）不同型号的雪崩电压范围也很大，从几V到上百V的都有。