IRF640的基本参数？三端稳压器内部结构及原理？
IRF640，采用TO-220AB封装方式。晶体管极性:N沟道漏极电流,Id最大值:18A电压,Vds最大:200V开态电阻,Rds(on):0.15ohm电压@Rds测量:10V电压,Vgs最高:4V封装类型:TO-220AB针脚数:3功率,Pd:150W封装类型:TO-220AB晶体管类型:MOSFET热阻,结至外壳A:1°C/W电压Vgs@Rdson测量:10V电压,Vds典型值:200V电流,Id连续:18A电流,Idm脉冲:72A表面安装器件:通孔安装阈值电压,Vgsth典型值:4V阈值电压,Vgsth最高:4V
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