当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时，吸收到P衬底外表层的电子就增加，当vGS到达某一数值 时，这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间构成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，构成反型层。

　　vGS越大，作用于半导体外表的电场就越强，吸收到P衬底外表的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。?

　　即N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能构成导电沟道，管子处于截止状态。

　　只要当vGS≥VT时，才有沟道构成。沟道构成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。

　　但是Vgs继续加大，比方IRFPS40N60K

　　

　　

　　

　　Vgs=100V时

　　

　　Vgs增大会减小Rds（on）减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率